当前，全球能源转型与电气化进程的加速，正将功率电子系统的效率与功率密度推向前所未有的高度，而宽禁带半导体（SiC/GaN）正是实现这一突破的核心引擎。然而，芯片本身的卓越性能只是故事的一半。一个常常被忽视但至关重要的环节是封装技术。

技术 封装 宽禁带 contact 宽禁带技术 2025-11-13 08:58  2

第三代半导体碳化硅(SiliconCarbide, SiC)材料从2英寸、3英寸、4英寸到6英寸的发展历程，已经证明了扩大尺寸可以显著提升SiC芯片和器件生产的经济性，目前碳化硅产业已经在推动开发8英寸晶圆，晶圆直径增加50mm，晶圆面积增加78%，切出的芯片

研究 sic 晶圆 宽禁带 宽禁带科技 2025-09-09 08:50  6